42、QFJ（quad flat J-leaded package）四侧J形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ多数情况称为PLCC（见PLCC），用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18至84。陶瓷QFJ也称为CLCC、JLCC（见CLCC）。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机芯片电路。引脚数从32至84。43、QFN（quad flat non-leaded package）集成电路四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。90年代后期多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低。集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。宜兴标准集成电路销售方法
5、Cerquad集成电路表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G（见QFJ）。徐州好的集成电路销售厂家GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。
J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20至40（见SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照JEDEC（美国联合电子设备工程委员会）标准对SOP所采用的名称（见SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）无散热片的SOP。与通常的SOP相同。为了在功率IC封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF（non-fin）标记。部分半导体厂家采用的名称（见SOP）。
6、COB（chip on board）板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是**简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。7、DFP（dual flat package）双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）电压测量或用示波器探头测试波形时，避免造成引脚间短路，在与引脚直接连通的印刷电路上进行测量。
集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在***、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可**提高。功能结构集成电路集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。江阴标准集成电路服务热线
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。宜兴标准集成电路销售方法
26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。宜兴标准集成电路销售方法
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