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集成电路基本参数
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集成电路企业商机

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特·诺伊斯(基于硅(Si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 [6]任何瞬间的短路都容易损坏集成电路,尤其在测试扁平型封装的CMOS集成电路时更要加倍小心。徐州本地集成电路产品介绍

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因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。53、SH-DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。54、SIL(single in-line)SIP的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。55、SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4兆位DRAM的SIMM已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM都装配在SIMM里。徐州好的集成电路图片按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。

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1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器(CPU)集成电路、存储器集成电路等。2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路,电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。

美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSP(mini square package)QFI的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。32、P-(plastic)表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC(pad array carrier)严禁在无隔离变压器的情况下,用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备。

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这就是初期集成电路的构想,晶体管的发明使这种想法成为了可能,1947年在美国贝尔实验室制造出来了***个晶体管,而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能,并且克服了电子管的上述缺点,因此在晶体管发明后,很快就出现了基于半导体的集成电路的构想,也就很快发明出来了集成电路。杰克·基尔比(Jack Kilby)和罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)在1958~1959期间分别发明了锗集成电路和硅集成电路。电压测量或用示波器探头测试波形时,避免造成引脚间短路,在与引脚直接连通的印刷电路上进行测量。无锡质量集成电路图片

模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。徐州本地集成电路产品介绍

J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形,故此得名。通常为塑料制品,多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路,但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20至40(见SIMM)。63、SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP所采用的名称(见SOP)。64、SONF(Small Out-Line Non-Fin)无散热片的SOP。与通常的SOP相同。为了在功率IC封装中表示无散热片的区别,有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。徐州本地集成电路产品介绍

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