使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成，每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C（见QFN）。梁溪区节能集成电路产品介绍
表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP归为SMD（见SOP）。SOP的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。（见SOP）。60、SOI（small out-line I-leaded package）I形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I字形，中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC（电机驱动用IC）中采用了此封装。引脚数26。61、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的别称（见SOP）。国外有许多半导体厂家采用此名称。62、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）徐州标准集成电路图片双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。
美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSP（mini square package）QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称（见BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）
26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。
集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在***、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可**提高。功能结构集成电路集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。梁溪区常见集成电路现货
功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。梁溪区节能集成电路产品介绍
集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由**半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。梁溪区节能集成电路产品介绍
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