企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

本申请涉及半导体工艺技术领域,具体涉及一种剥离液机台及其工作方法。背景技术:剥离(lift-off)工艺通常用于薄膜晶体管(thinfilmtransistor)制程中的光罩缩减,lift-off先形成光阻并图案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同时,沉积在光阻上的膜层也被剥离,从而完成膜层的图形化,通过该制程可以实现两次光刻合并为一次以达到光罩缩减的目的。现有技术中,由于光阻上沉积了薄膜(该薄膜材料可以为金属,ito(氧化铟锡)等用于制备tft的膜层),在剥离光阻的同时薄膜碎屑被带入剥离液(stripper)中,大量的薄膜碎屑将会导致剥离液机台中的过滤器(filter)堵塞,从而导致机台无法使用,并且需要停止所有剥离液机台的工作,待将filter清理后再次启动,降低了生产效率。技术实现要素:本申请实施例提供一种剥离液机台及其工作方法,可以提高生产效率。本申请实施例提供一种剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过***管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在所述***管道或所述第二管道上设置有阀门开关。在一些实施例中。ITO剥离液的配方是什么?绍兴哪家剥离液按需定制

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本技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种印刷品胶面印刷剥离复合装置,包括主支撑架、横向支架、伺服变频电机、电机减速箱、印刷品放置箱、表面印刷结构、胶面剥离结构,所述主支撑架上方设置有所述横向支架,所述横向支架上方设置有所述伺服变频电机,所述伺服变频电机上方设置有所述电机减速箱,所述电机减速箱上方安装有印刷品传送带,所述印刷品传送带一侧安装有所述印刷品放置箱,所述印刷品放置箱一侧安装有所述表面印刷结构,所述表面印刷结构上方设置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安装有油墨加压器,所述油墨加压器下方安装有高压喷头,所述高压喷头一侧安装有防溅射挡板。滁州江化微的蚀刻液剥离液产品介绍剥离液的类别一般有哪些。

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本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种用于包括但不限于半导体生产工艺中光刻胶去除步骤的光刻胶剥离去除方法。背景技术:光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的也称为光致抗蚀剂、光阻等,其作用是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶广泛应用于集成电路(ic)、封装(packaging)、微机电系统(mems)、光电子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板显示其(led、lcd、oled)和太阳能光伏(solarpv)等领域。在半导体制造领域,离子注入层光刻胶(参考图2)在经过高剂量或大分子量的源种注入后(参考图3),会在光刻胶的外层形成一层硬壳(参考图4)本发明命名为主要光刻胶层。现有的离子注入层光刻胶在经过氧气灰化干法剥离时,由于等离子氧与光刻胶反应速率很高,会有一部分等离子氧先穿透主要光刻胶层到达第二光刻胶层,在与第二光刻胶层反应后在内部产生大量气体,第二层光刻胶膨胀(参考图5),主要光刻胶层终因承受不住内层巨大的气压而爆裂,爆裂的光刻胶有一定的概率掉落在临近的光刻胶上(参考图6),导致此交叠的光刻胶不能法剥离干净。在经过后续批作业的湿法剥离后会产生残余物。

参考图7),这种残余物在覆盖一系列栅极堆栈薄膜之后会被增强呈现,传递到栅极成型工序时会对栅极图形产生严重的影响,即在栅极曝光图形成型之后形成埋层缺陷,在栅极刻蚀图形成型之后造成栅极断开或桥接,直接降低了产品良率。另外,在氧气灰化阶段,由于等离子氧可以穿透衬底表面上的氧化层到达衬底硅区,直接与硅反应产生二氧化硅,增加了硅损失,会影响器件阈值电压及漏电流,也会影响产品良率。技术实现要素:在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本发明要解决的技术问题是提供一种用于包括但不限于半导体生产工艺中,能降低光刻胶去除残留物的光刻胶剥离去除方法。为解决上述技术问题,本发明提供的光刻胶剥离去除方法,包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;可选择的,淀积介质层为二氧化硅薄膜。可选的,进一步改进,淀积二氧化硅薄膜厚度范围为5埃~60埃。s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层。天马微电子用的哪家的剥离液?

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用显微镜观察也难以看出的程度)3:有少量残渣4:基本能剥离,但一部分残渣多5:一半以上能剥离,但一部分残渣多6:基本不能剥离,但一部分剥离7:不能剥离【表2】由该结果可知,在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成,与使用氢氧化钠的比较组成相比,即使l/s狭窄,也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理,将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90%以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外,剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后,将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制:s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1:没有变化2:极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3:略有变化4:发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。哪家的剥离液比较好用点?浙江天马用的蚀刻液剥离液按需定制

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腔室10及过滤器30可以采用与现有技术相同的设计。处于剥离制程中的玻璃基板,按照玻璃基板传送方向从当前腔室101开始逐级由各腔室10向玻璃基板供给剥离液以进行剥离制程。剥离液从当前腔室101进入相应的存储箱20,在剥离液的水平面超过预设高度后流入过滤器30,再经过过滤器30的过滤将过滤后的剥离液传送至下一级腔室102内。其中,薄膜碎屑70一般为金属碎屑或ito碎屑。其中,如图2所示,图2为本申请实施例提供的剥离液机台100的第二种结构示意图。阀门开关60设置在***管道40及第二管道50上。在过滤器30被阻塞时,关闭位于过滤器30两侧的***管道40及第二管道50上的阀门开关60,可以保证当前级腔室101对应的存储箱20内剥离液不会流出,同时下一级腔室102内的剥离液也不会流出。在一些实施例中,请参阅图3,图3为本申请实施例提供的剥离液机台100的第三种结构示意图。过滤器30包括多个并列排布的子过滤器301,所述***管道40包括多个***子管道401,每一所述***子管道401与一子过滤器301连通,且所述多个***子管道401与当前级腔室101对应的存储箱20连通。在一些实施例中,第二管道50包括公共子管道501及多个第二子管道502,每一所述第二子管道502与一子过滤器301连通。绍兴哪家剥离液按需定制

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