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本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示，本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例，用于半导体制造工艺中，可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤，主要包括以下步骤:s1，在半导体衬底上淀积介质层；s2，旋涂光刻胶并曝光显影，形成光刻图形阻挡层；s3，执行离子注入：s4，采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀，对光刻胶进行干法剥离；s5，对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体，与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶，有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响，提高产品良率。参考图11和图12所示，在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后，监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗，证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷，促进了产品良率的提升。哪家的剥离液的价格优惠？南京配方剥离液销售厂

所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的，所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，～1wt％硫脲类缓蚀剂和～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏，所以稳定性较高，水溶性较好，耐电解质，易于生物降解，泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性，所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果，另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。南京配方剥离液销售厂质量好的剥离液的公司联系方式。

用显微镜观察也难以看出的程度)3：有少量残渣4：基本能剥离，但一部分残渣多5：一半以上能剥离，但一部分残渣多6：基本不能剥离，但一部分剥离7：不能剥离【表2】由该结果可知，在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成，与使用氢氧化钠的比较组成相比，即使l/s狭窄，也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理，将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90％以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外，剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后，将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制：s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1：没有变化2：极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3：略有变化4：发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。

添加剂中含有醇醚化合物、胺化合物、缓蚀剂以及润湿剂；s3：将步骤s1的剥离液废液与添加剂混合，重新制备剥离液新液，制备过程中加入酰胺化合物或醇醚化合物。光刻胶剥离液为纯有机溶剂体系，废液可通过蒸馏回收80-95％有效物，得出纯化液体，而在上述制备方式中，纯化液体所含的组分与添加剂所含的组分之间是具有相重复的，可以认为，添加剂是根据已知的剥离液新液的组分进行配制的，添加剂可以是对纯化液体与剥离液新液之间的组分的差别而进行的添加、补充，使得纯化液体和添加剂混合后，能够具有与剥离液新液相同的组分。那么，可以知道，在预先知道剥离液新液的组分的基础上，可以通过预先配制含有剥离液新液中的某些组分的添加剂，然后在制备回收的剥离液废液得出纯化液体时，可以将添加剂加入纯化液体中，再进行质量分数的调节。纯化液体是将剥离液废液进行加压、蒸馏，去除剥离液废液中的非剥离液新液的组分的物质，然后得出的纯化液体，纯化液体中所含的组分物质，都是剥离液新液所含有的组分物质。进一步技术方案中，所述的步骤1中得出的纯化液体中含有的酰胺化合物的质量分为：45％-60％；含有的醇醚化合物的质量分为：35％-50％。剥离液的特性是什么？

含有的胺化合物的质量分为：1％-2％。进一步技术方案中，所述的添加剂中含有醇醚化合物的质量分为：30％-50％；含有胺化合物的质量分为：35％-55％；含有缓蚀剂的质量分为：6％-12％；含有润湿剂的质量分为：1％-7％。进一步技术方案中，所述的步骤s1中剥离液废液所含的酰胺化合物以及步骤s2中添加剂所含的酰胺化合物均为n-甲基甲酰胺(nmf)、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的一种或者多种。进一步技术方案中，所述的步骤s1中剥离液废液所含的醇醚化合物以及步骤s2中添加剂所含的醇醚化合物均为二乙二醇丁醚(bdg)、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的一种或多种。进一步技术方案中，所述的步骤s1中剥离液废液所含的胺化合物以及步骤s2中添加剂所含的胺化合物为环胺与链胺。进一步技术方案中，所述的环胺为氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的一种或多种；所述的链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的一种或多种。进一步技术方案中，所述的三唑类化合物，具体为苯并三氮唑(bta)、甲基苯并三氮唑(tta)中的任意一种。进一步技术方案中，所述的润湿剂为含羟基化合物，具体为为聚乙二醇、甘油中的任意一种。剥离液的使用效果有哪些；绍兴天马用的蚀刻液剥离液销售公司

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技术领域：本发明涉及一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法，可用于微纳制造，光学领域，电学，生物领域，mems领域，nems领域。技术背景：微纳制造技术是衡量一个国家制造水平的重要标志，对提高人们的生活水平，促进产业发展与经济增长，保障**安全等方法发挥着重要作用，微纳制造技术是微传感器、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基本手段和重要基础。基于半导体制造工艺的光刻技术是**常用的手段之一。对于纳米孔的加工，常用的手段是先利用曝光负性光刻胶并显影后得到微纳尺度的柱状结构，再通过金属的沉积和溶胶实现图形反转从而得到所需要的纳米孔。然而传统的方法由于光刻过程中的散焦及临近效应等会造成曝光后的微纳结构侧壁呈现一定的角度(如正梯形截面)，这会造成蒸发过程中的挂壁严重从而使lift-off困难。同时由于我们常用的高分辨的负胶如hsq，在去胶的过程中需要用到危险的氢氟酸，而氢氟酸常常会腐蚀石英，氧化硅等衬底从而影响器件性能，特别的，对于跨尺度高精度纳米结构的制备在加工效率和加工能力方面面临着很大的挑战。南京配方剥离液销售厂