图2为本申请实施例提供的剥离液机台的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的剥离液机台的第三种结构示意图。图4为本申请实施例提供的剥离液机台的第四种结构示意图。图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图。具体实施方式目前剥离液机台在工作时,如果过滤剥离光阻时产生的薄膜碎屑的过滤器被阻塞,则需要剥离液机台内的所有工作单元,待被阻塞的过滤器被清理后,才能重新进行剥离制程,使得机台需频繁停线以更换过滤器,极大的降低了生产效率。请参阅图1,图1为本申请实施例提供的过滤液机台100的种结构示意图。本申请实施例提供一种剥离液机台100,包括:依次顺序排列的多级腔室10、每一级所述腔室10对应连接一存储箱20;过滤器30,所述过滤器30的一端设置通过管道40与当前级腔室101对应的存储箱20连接,所述过滤器30的另一端通过第二管道50与下一级腔室102连接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上设置有阀门开关60。具体的,图1所示出的是阀门开关60设置在管道40上的示例图。当当前级别腔室101对应的过滤器30被薄膜碎屑阻塞后,通过阀门开关60关闭当前级别腔室101对应的存储箱20与过滤器30之间的液体流通。哪家的剥离液配方比较好?哪家剥离液私人定做
所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,所述道包括多个子管道,每一所述子管道与一子过滤器连通,且所述多个子管道与当前级腔室对应的存储箱连通。在一些实施例中,所述第二管道包括公共子管道及多个第二子管道,每一所述第二子管道与一子过滤器连通,每一所述第二子管道与所述公共子管道连通,所述公共子管道与所述下一级腔室连通。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述子管道上。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述第二子管道上。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些实施例中,所述第二管道包括多个第三子管道,每一所述第三子管道与一子过滤器连通,且每一所述第三子管道与所述下一级腔室连通。在一些实施例中,所述阀门开关设置在每一所述第三子管道上。本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,包括:将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室。广州银蚀刻液剥离液销售厂家剥离液的正确使用方式;
本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施,并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是,提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整,并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示,本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入:s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;s5,对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶,有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。参考图11和图12所示,在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后,监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗,证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷,促进了产品良率的提升。
本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,请参阅图5,图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图,该方法包括:步骤110、将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;步骤120、将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;步骤130、使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室;步骤140、若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关;步骤150、取出被阻塞的所述过滤器。若过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则可以关闭被阻塞的子过滤器的阀门,因此,步骤140还可以包括:若所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则关闭连接被阻塞的所述子过滤器的管道上的阀门开关。在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。 剥离液的发展趋势如何。
本申请涉及半导体工艺技术领域,具体涉及一种剥离液机台及其工作方法。背景技术:剥离(lift-off)工艺通常用于薄膜晶体管(thinfilmtransistor)制程中的光罩缩减,lift-off先形成光阻并图案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同时,沉积在光阻上的膜层也被剥离,从而完成膜层的图形化,通过该制程可以实现两次光刻合并为一次以达到光罩缩减的目的。现有技术中,由于光阻上沉积了薄膜(该薄膜材料可以为金属,ito(氧化铟锡)等用于制备tft的膜层),在剥离光阻的同时薄膜碎屑被带入剥离液(stripper)中,大量的薄膜碎屑将会导致剥离液机台中的过滤器(filter)堵塞,从而导致机台无法使用,并且需要停止所有剥离液机台的工作,待将filter清理后再次启动,降低了生产效率。技术实现要素:本申请实施例提供一种剥离液机台及其工作方法,可以提高生产效率。本申请实施例提供一种剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上设置有阀门开关。在一些实施例中。京东方用的哪家的剥离液?池州江化微的蚀刻液剥离液销售厂
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按照组成成分和应用工艺不同,湿电子化学品可分为通用性和功能性湿电子化学品。通用湿电子化学品以超净高纯试剂为主,一般为单组份、单功能、被大量使用的液体化学品,按照性质划分可分为:酸类、碱类、有机溶剂类和其他类。酸类包括氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸、磷酸等;碱类包括氨水、氢氧化钠、氢氧化钾等;有机溶剂类包括甲醇、乙醇、异丙醇、**、乙酸乙酯等;其他类包括双氧水等。功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品,即在单一的超净高纯试剂(或多种超净高纯试剂的配合)基础上,加入水、有机溶剂、螯合剂、表面活性剂混合而成的化学品。例如剥离液、显影液、蚀刻液、清洗液等。由于多数功能湿电子化学品是复配的化学品,是混合物,它的理化指标很难通过普通仪器定量检测,只能通过应用手段来评价其有效性。 哪家剥离液私人定做