先进芯片封装技术-晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装是在晶圆上进行封装工艺，实现了芯片尺寸与封装尺寸的接近，减小了封装体积，提高了封装密度。与传统先切割晶圆再封装不同，它是先封装后切割晶圆。中清航科的晶圆级封装技术处于行业前沿，能够为客户提供高集成度、小型化的芯片封装产品，在物联网、可穿戴设备等对芯片尺寸和功耗要求苛刻的领域具有广阔应用前景。想要了解更多内容可以关注我司官网，另外有相关需求欢迎随时联系。中清航科芯片封装技术，支持混合信号集成，降低不同电路间的干扰。浙江mems封装
先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。江苏集成电路to封装中清航科深耕芯片封装，以技术创新为引擎，助力中国芯片产业突破升级。
面对量子比特超导封装难题，中清航科开发蓝宝石基板微波谐振腔技术。通过超导铝薄膜微加工，实现5GHz谐振频率下Q值＞100万，比特相干时间提升至200μs。该方案已用于12量子比特模块封装，退相干率降低40%，为量子计算机提供稳定基础。针对AI边缘计算需求，中清航科推出近存计算3D封装。将RRAM存算芯片与逻辑单元垂直集成，互连延迟降至0.1ps/mm。实测显示ResNet18推理能效达35TOPS/W，较传统方案提升8倍，满足端侧设备10mW功耗要求。
COB的理论优势1、设计研发：没有了单个灯体的直径，理论上可以做到更加微小。2、技术工艺：减少支架成本和简化制造工艺，降低芯片热阻，实现高密度封装。3、工程安装：从应用端看，COBLED显示模块可以为显示屏应用方的厂家提供更加简便、快捷的安装效率。4、产品特性上：超轻薄：可根据客户的实际需求，采用厚度从0.4-1.2mm厚度的PCB板，使重量极少降低到原来传统产品的1/3，可为客户明显降低结构、运输和工程成本。防撞抗压：COB产品是直接将LED芯片封装在PCB板的凹形灯位内，然后用环氧树脂胶封装固化，灯点表面凸起成球面，光滑而坚硬，耐撞耐磨。大视角：视角大于175度，接近180度，而且具有更的光学漫散色浑光效果。中清航科芯片封装方案，通过模块化接口，简化下游厂商应用难度。
针对MicroLED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。中清航科芯片封装工艺，通过低温键合技术，保护芯片内部敏感元件。sot23封装
5G 芯片对封装要求高，中清航科定制方案，适配高速传输场景需求。浙江mems封装
针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。浙江mems封装
