K4RAH165VBBCWM内存颗粒FBGA封装

***深圳东芯科达科技有限公司***

毫秒定胜负，芯力破苍穹 —— 电竞级内存颗粒，引の爆极の致战力！！在电竞的世界里，胜负往往只差一瞬。而这一瞬的差距，正由内存颗粒的性能悄然决定。专为游戏玩家打造的电竞级内存颗粒，以速度为刃、以稳定为盾，让你在虚拟战场一路狂飙，掌控全局。搭载海力士特挑超频颗粒，配合精の准电压控制与时序优化，数据传输速率直逼 8000MHz，纳秒级延迟让指令响应快如闪电 —— 技能释放零延迟，画面渲染无拖影，多人生存游戏加载秒完成，大型竞技游戏帧率稳定拉满。更采用 2.0mm 加厚金属散热马甲与铜均热板设计，即便长时间高负载运行，也能快速导出热量，保持颗粒性能稳定输出，让热血对战不被温度干扰。不止于快，更懂电竞美学：支持 1680 万色 RGB 动态光效，8 颗独の立控光芯片精の准联动，游戏大招释放时同步闪烁红光，负载变化时自动切换色彩，让硬件不再冰冷，而是与你并肩作战的 “战友”。从职业赛场到业余玩家桌面，电竞级内存颗粒以极の致性能打破束缚，以稳定品质消除顾虑，让每一次点击都成为胜利的铺垫，每一场对战都酣畅淋漓 —— 芯有力量，战无不胜！ 深圳东芯科达的内存颗粒应用于手机、平板等移动设备，为其提供了稳定存储支持，满足了用户扩展需求。K4RAH165VBBCWM内存颗粒FBGA封装

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内存颗粒封装是内存芯片所采用的封装技术类型，通过包裹芯片避免外界损害，主要形式包括DIP、TSOP、BGA等。

到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广の泛的认可，时至今の日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。 海力士内存颗粒存储解决方案新能源设备的监控系统可选用深圳东芯科达的内存颗粒，用于存储运行数据，助力设备状态监测。

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芯动力，速无限 —— 内存颗粒，定义数字体验新高度！！

从消费级到工业级，从个人设备到算力中心，内存颗粒以多元实力适配全场景需求。为游戏玩家量身定制的超频颗粒，优化电压与时序参数，释放极の致算力，助你抢占竞技先机；工业级高稳颗粒无惧极端温度与超长负荷，为自动驾驶、服务器集群筑牢数据安全屏障；而 AI 时代标配的 HBM 高带宽颗粒，以堆叠架构实现容量与速度的双重飞跃，成为云计算、人工智能的算力引擎。

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内存颗粒分为原厂（major brand或者简称major，打印芯片原厂商标）/白片/次品（downgraded）。

“白片”又可以细分为ett、utt以及其他更差的等级。在正规市场上交易的一般就是major、ett、utt这几种。utt名字是untested就是未经测试，但实际上**基本的物理测试还是做的，而ett名为effectively tested，就是通过有效性测试的颗粒，测试工序比utt多了不少，质量也要强不少。但是它们都没有经过原厂major颗粒那样的严酷测试。

原厂颗粒一般要在测试时通过物理条件来模拟颗粒在恶劣环境下长时间工作几年老化以后的情况（但不会使颗粒真的老化），能通过这种测试的颗粒当然能够保证长时间使用的稳定性。只有这样的颗粒，才有资格打上原厂标。 深圳东芯科达的内存颗粒可根据用户需求配置容量，从几百MB到几十GB不等，适配不同存储场景。

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内存颗粒，作为内存条的核の心存储单元，是决定内存性能的关键组件，被誉为 “数字信息的临时仓库”。它通过半导体晶圆蚀刻工艺制成，将亿万级晶体管集成在微小芯片上，实现电信号与数据的快速转换和暂存，是计算机、手机、服务器等电子设备高效运行的底层支撑。

从技术原理来看，内存颗粒的核の心优势在于 “高速读写” 与 “瞬时响应”。主流 DDR5 内存颗粒采用 3D 堆叠工艺，单颗芯片容量可达 24GB，数据传输速率突破 8000MT/s，相比前代产品性能提升超 50%。其内部由存储单元阵列、地址解码器、读写控制电路构成，当设备运行程序时，颗粒会快速接收 CPU 指令，将数据从硬盘调取至自身存储矩阵，再以纳秒级延迟反馈运算结果，确保多任务处理、大型游戏运行等场景的流畅性。 深圳东芯科达的内存颗粒包装采用防静电、抗冲击材料，确保运输过程中产品不受损坏。OEM代工内存颗粒智能家居

深圳东芯科达通过整合产业资源，保障内存颗粒的稳定供应，满足客户批量采购与紧急补货需求。K4RAH165VBBCWM内存颗粒FBGA封装

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内存颗粒封装是内存芯片所采用的封装技术类型，通过包裹芯片避免外界损害，主要形式包括DIP、TSOP、BGA等。

BGA封装于90年代发展，采用球栅阵列提升散热与电性能，TinyBGA技术使封装面积比达1:1.14，散热路径缩短至0.36毫米。

HBM（高带宽存储器）采用3D封装技术，通过硅通孔（TSV）和键合技术实现多层芯片堆叠。美光已开始量产8层堆叠HBM3E，SK海力士应用MR-MUF回流模塑工艺及2.5D扇出封装技术，三星推出12层堆叠HBM3E产品。 K4RAH165VBBCWM内存颗粒FBGA封装

深圳市东芯科达科技有限公司汇集了大量的优秀人才，集企业奇思，创经济奇迹，一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地，绘画新蓝图，在广东省等地区的数码、电脑中始终保持良好的信誉，信奉着“争取每一个客户不容易，失去每一个用户很简单”的理念，市场是企业的方向，质量是企业的生命，在公司有效方针的领导下，全体上下，团结一致，共同进退，**协力把各方面工作做得更好，努力开创工作的新局面，公司的新高度，未来和您一起奔向更美好的未来，即使现在有一点小小的成绩，也不足以骄傲，过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验，才能继续上路，让我们一起点燃新的希望，放飞新的梦想！