本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术:参照图1,可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力强的添加剂,由此可能发生氮化物膜没有被完全去除的工序不良(参照图2)。此外,想要将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力弱的添加剂,由此虽然氮化物膜被完全去除,但是可能发生对氧化物膜也造成损伤(damage)的工序不良(参照图3)。以往,为了在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中*将氮化物膜选择性完全去除而选择具有适当水平的防蚀能力的添加剂时,按照添加剂的种类和浓度通过实验进行确认。没有这样的实验确认就选择添加剂实际上是不可能的。ITO蚀刻液的配方是什么?广州江化微的蚀刻液蚀刻液推荐厂家

技术实现要素:本实用新型的目的在于提供高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,以解决上述背景技术中提出密封性差,连接安装步骤繁琐的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,包括装置主体、支撑腿、电源线和单片机,所述装置主体的底端固定连接有支撑腿,所述装置主体的后面一侧底部固定连接有电源线,所述装置主体的一侧中间部位固定连接有控制器,所述装置主体的内部底端一侧固定连接有单片机,所述装置主体的顶部一端固定连接有去离子水储罐,所述装置主体的顶部一侧固定连接有磷酸储罐,所述磷酸储罐的底部固定连接有搅拌仓,所述搅拌仓的内部顶部固定连接有搅拌电机,所述搅拌仓的另一侧顶部固定连接有醋酸储罐,所述装置主体的顶部中间一侧固定连接有硝酸储罐,所述装置主体的顶部中间另一侧固定连接有阴离子表面活性剂储罐,所述阴离子表面活性剂储罐的另一侧固定连接有聚氧乙烯型非离子表面活性剂储罐,所述装置主体的顶部另一侧固定连接有氯化钾储罐,所述装置主体的顶部另一端固定连接有硝酸钾储罐,所述装置主体的内部中间部位固定连接有连接构件。安庆BOE蚀刻液蚀刻液费用「博洋化学」蚀刻剂厂家,质优价实,行业靠谱!

本发明涉及回收处理技术领域,具体为一种废铜蚀刻液的回收处理装置。背景技术:废铜蚀刻液含有可回收的金属,所以需要进行回收处理,目前通用的做法是,使用化学方法回收废液内的铜,或提炼成硫酸铜产品,工艺落后,铜回收不彻底,处理的经济效益不明显,有二次污染污染物排放,一旦处理不当往外排放,势必对水体生态系统造成大的冲击。市场上的废铜蚀刻液的回收处理装置只能简单的对蚀刻液进行回收处理,不能对蚀刻液进行循环电解,使得剩余蚀刻液中的铜离子转化不充分,而且蚀刻液导入到电解池中会对电解池造成冲击,进而影响电解池的使用寿命,并且在回收处理中会产生有害气体而影响空气环境,也不能在回收结束后对装置内部进行清理,为此,我们提出一种废铜蚀刻液的回收处理装置。技术实现要素:本发明的目的在于提供一种废铜蚀刻液的回收处理装置,以解决上述背景技术中提出的市场上的废铜蚀刻液的回收处理装置只能简单的对蚀刻液进行回收处理,不能对蚀刻液进行循环电解,使得剩余蚀刻液中的铜离子转化不充分,而且蚀刻液导入到电解池中会对电解池造成冲击,进而影响电解池的使用寿命,并且在回收处理中会产生有害气体而影响空气环境。
银蚀刻液主要用于印刷线路板制造,银器及银合金的蚀刻、标牌制作。二、突出特点1.蚀刻速度快,效率高。使用方便。蚀刻最高速度可达2000纳米/秒。2.可循环使用,无废液排放。三、理化指标外观:液体;气味:微;比重:1.05±0.1;pH:偏碱性四、使用方法1.预处理:如银或铜合金表面不洁净,需对表面进行洁净处理,如除油、除杂等。2.蚀刻:(1).将图案模板纸粘附于银板或银器上,再将银蚀刻液用喷淋设备喷于图案处,时间1分钟到几十分钟不定(用户可根据蚀刻要求自行试验时间,因模板纸不同,时间也不同),揭去模板纸,用清水冲掉残物。(2).用100-200T的丝网,75度硬度的聚酯刮胶,将光固化抗蚀刻油墨印刷在基板上,然后将油墨在紫外灯下光照20—30秒钟,(紫外光能量为1000mj/cm2)。用喷淋的方式进行蚀刻,温度50±5℃,压力1-3kg/cm2时间1分钟到几分钟,(具体时间根据蚀刻深度而定)。然后,用1%--3%的氢氧化钠溶液将光固化抗蚀刻油墨溶解出去。蚀刻液的是怎么进行分类的。

本实用涉及蚀刻设备技术领域,具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术:蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的,薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft~lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应,使得装置外壳稳定较高,工作人员直接接触有烫伤风险,热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,保护性不足,盐酸硝酸具有较强的腐蚀性,常规的搅拌装置容易被腐蚀,影响蚀刻液的质量,用防腐蚀的聚四氟乙烯搅拌浆进行搅拌,成本过高,且混合的效果不好。所以,如何设计一种ito蚀刻液制备装置,成为当前要解决的问题。技术实现要素:本实用新型的目的在于提供一种ito蚀刻液制备装置,以解决上述背景技术中提出的ito蚀刻液制备装置保护性不足、不具备很好的防腐蚀性和混合的效果不好的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种ito蚀刻液制备装置,包括制备装置主体、高效搅拌装置和过滤除杂装置。苏州有哪些公司可以做蚀刻液。成都蚀刻液报价
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使硝酸钾储罐21和其它储罐的内部形成一个密闭的空间,避免环境外部的杂质进入储罐内,有效的提高了装置使用的密封性;紧接着,将磷酸与醋酸在个搅拌仓23中充分搅拌混合均匀,然后在第二个搅拌仓23中与硝酸充分搅拌混合均匀后,再进入配料罐中混合,将阴离子表面活性剂和聚氧乙烯型非离子表面活性剂在第三个搅拌仓23混合后再进入第四个搅拌仓23中,与氯化钾、硝酸钾、去离子水一起在第四个搅拌仓23中混合均匀,然后过滤后封装,先检查过滤板26进行更换或安装,过滤部件9的内部两侧嵌入连接有过滤板26,常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合,其分散混合性能差,蚀刻液杂质含量多,过滤板26能将蚀刻液内部的杂质进行过滤,使制备出的蚀刻液的杂质被过滤板26过滤出,得到不含杂质的蚀刻液,避免多种强酸直接共混有效的减小了蚀刻液制备的安全隐患;,通过过滤部件9将蚀刻液进行过滤,过滤部件9设置有一个,过滤部件9设置在连接构件11的内侧,过滤部件9与连接构件11固定连接,过滤部件9能将制备出的蚀刻液进行过滤,且过滤部件9能将内部的过滤板26进行拆卸更换,将过滤部件9的内部进行清洗,在将过滤部件9进行连接安装时,将滑动盖24向外侧滑动。广州江化微的蚀刻液蚀刻液推荐厂家