企业商机
蚀刻液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 产品名称
  • 钼铝钼蚀刻液
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类别
  • 无机酸
  • 产品性状
  • 液态
蚀刻液企业商机

影响ITO碱性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:1、Cu2+离子浓度的影响:Cu2+是氧化剂,所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明:在0~82g/L时,蚀刻时间长;在82~120g/L时,蚀刻速率较低,且溶液控制困难;在135~165g/L时,蚀刻速率高且溶液稳定;在165~225g/L时,溶液不稳定,趋向于产生沉淀。2、氯化铵含量的影响:通过蚀刻再生的化学反应可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蚀刻速率就会降低,以致失去蚀刻能力。所以,氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行,要不断补加氯化铵。BOE蚀刻液欢迎咨询苏州博洋化学股份。扬州银蚀刻液蚀刻液销售公司

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所述液体入口1处设有减压阀12,所述蒸汽出口5处设有真空泵13、除雾组件3及除沫组件4,所述除雾组件3用于过滤分离器中闪蒸的蒸汽中的含铜液体,所述除沫组件4用于将经除雾组件3除雾的气体进行除沫。含铜蚀刻液在加热器11中进行加热,达到闪蒸要求的温度,输送至分离器,通过减压阀12减压,真空泵13对分离器内抽气,使分离器内处于低压状态,含铜蚀刻液在分离器内发生闪蒸,闪蒸产生大量蒸汽,蒸汽中携带着大小不等的液滴,大液滴中含有铜,通过除雾组件3和除沫组件4对蒸汽进行分离过滤,也可以防止大液滴从蒸汽出口5飞出,减少产品损失。在一个实施例中,如图1所示,所述除雾组件3为设有多个平行且曲折的通道的折流板。液体在随着气体上升时会有惯性,因为液体与气体的质量不同,他们的惯性也不同,当夹带着液体的气体以一定速度通过折流板曲折的通道时,液体流动的方向不断在曲折的通道中发生变化,液体的惯性较大,依旧保持原来的运动方向,从气体中脱离,撞击折流板壁面从而被挡下,气体则顺利通过折流板通道排出,被挡下的液体在壁面上汇集成液流,因重力的作用从折流板上流下。在一个实施例中,如图1所示,所述除沫组件4为丝网。因为除雾组件3中的撞击过程。苏州市面上哪家蚀刻液配方技术蚀刻液适用于哪些行业。

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本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术:以往,在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如专利文献1中提出了一种钛的蚀刻液,该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛,并且该蚀刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的过氧化氢、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。但是,含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高的问题,含有过氧化氢的蚀刻液存在缺乏保存稳定性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许第4471094号说明书。技术实现要素:发明所要解决的问题本发明是鉴于所述实际情况而成,其目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法,所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛,而且毒性低,保存稳定性优异。解决问题的技术手段本发明的蚀刻液是为了在铜的存在下选择性地蚀刻钛而使用,并且含有:选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸;以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。所述硫酮系化合物推荐为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。

铜蚀刻液近期成为重要的微电子化学品产品,广泛应用于平板显示、LED制造及半导体制造领域。随着新技术的不断进步,对该蚀刻液也有了更高的要求。并且之前市场上的铜蚀刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高浓度双氧水的情况。在此基础上我司自主进行了无氟,无硝酸,低双氧水浓度铜蚀刻液的研发,并可兼容于不同CuMo镀膜厚度之工艺。产品特点:1.6%双氧水浓度的铜蚀刻液lifetime可至7000ppm。2.末期铜蚀刻液工艺温度(32)下可稳定72H,常温可稳定120H;无暴沸现象。3.铜蚀刻液CD-Loss均一性良好,taper符合制程要求。4.铜蚀刻液可兼容MoCu结构不同膜厚度的机种。苏州有哪些公司可以做蚀刻液。

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将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用;第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。作为推荐的技术方案,所述磁力泵出口压力≤,过滤器入口压力≤。根据制备铜蚀刻液的原料确定磁力泵的出口压力和过滤器的入口压力,包装原料可以被充分过滤。作为推荐的技术方案,所述调配罐内的温度设定在30~35℃。调配罐的温度不能超过35℃,由于过氧化氢的密度随温度的升高而减小,因此保证交底的反应温度有助于保证原料体系的稳定作为推荐的技术方案,所述过滤器的微滤膜孔径为~μm。作为推荐的技术方案,第三步中各种原料在~,调配罐内填充氮气,搅拌速度为30~50r/min。作为推荐的技术方案,原料罐和调配罐大拼配量不超过罐容积的80%。本发明的优点和有益效果在于:本发明在制备酸性铜蚀刻液的过程中,用低温纯水(10℃)替代常温纯水(25℃),将低温纯水加入反应体系中,降低反应体系的反应温度。银蚀刻液是适用于OLED行业;扬州铝钼铝蚀刻液蚀刻液溶剂

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经除雾组件3除雾后的气体会夹带着泡沫,泡沫中还是含有铜元素,为进一步提高回收效率,需对气体和泡沫进行分离,泡沫与丝网碰撞时会吸附在丝网的细丝表面,细丝表面上泡沫不断累积和泡沫的重力沉降,使泡沫形成较大的液滴沿细丝流至两根丝的交点,当液滴累积至其自身产生的重力超过气体的上升力和液体表面张力合力时,液滴就从细丝上分离下落,气体在通过丝网除沫后,基本上不含泡沫。在一个实施例中,如图1所示,所述分离器设有液位计7、液位开关9、液相气相温度传感器6和压力传感器8。蒸汽从加热器11到分离器会因分离器内压力小而发生闪蒸,产生二次蒸汽,使气液分离的效率更高,所以要维持分离器内的压力不变,通过观察液位计7来使用液位开关9控制分离器内压力稳定,保证分离器的工作状态在设计的状态下。在一个实施例中,如图1所示,所述液位计7连接有液相气相温度传感器6和压力传感器8。液相气相温度传感器6和压力传感器8将分离器内的工作情况反映到液位计7,工作人员可以通过观察液位计7知道分离器内的工作情况。液相气相温度传感器6采用漂浮式传感器,在分离器内液面处工作,压力传感器8安装在分离器底部,有效测量分离器内液压。在一个实施例中,如图1所示。扬州银蚀刻液蚀刻液销售公司

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