制备烧结金胶以客为尊

在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。产品的环保特性在工艺技术层面也得到了充分体现。AuRoFUSE™是无卤素的金膏材，这一特性不仅符合日益严格的环保法规要求，也为客户提供了更安全、更清洁的生产环境。工艺技术的另一个重要优势是其操作简便性。安装元件（金电极）后，在无按压的情况下升温（0.5℃/秒）至200℃，20分钟即可完成接合。这种简单的操作流程降低了对操作人员技能水平的要求，提高了生产效率。。。烧结金胶先进的，提高生物相容性，工艺兼容性强。制备烧结金胶以客为尊

在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。特种烧结金胶溶剂烧结金胶独特的，应用于 LED 封装，提高生物相容性。

TANAKA 烧结金胶技术的重要在于其独特的亚微米级金粒子低温烧结特性，通过精确控制金粒子的粒径和烧结工艺，实现了在 200℃低温条件下的金 - 金键合，同时保持了优异的导电性和热导性。与传统的高温焊接和有机粘结剂相比，这一技术不仅大幅降低了能耗和工艺复杂度，还作用提升了器件的可靠性和稳定性。作为拥有 140 年历史的贵金属材料行业人员，田中贵金属工业株式会社（TANAKA）凭借其在 AuRoFUSE™系列低温烧结金胶技术上的突破性创新，为电子封装行业带来了前所未有的技术变革。

金胶中的金纳米粒子可作为活性成分，在特定条件下与材料表面发生化学反应或物理吸附，形成均匀、稳定的涂层。这种涂层可能赋予材料多种优异性能，如提高材料的耐腐蚀性、增强材料表面的生物相容性（对于生物医用材料）、改善材料的光学性能等。例如，在金属材料表面涂覆烧结金胶形成的涂层，金纳米粒子之间通过烧结过程形成紧密结合，能够有效阻挡腐蚀介质与金属基体的接触，从而提高金属材料的耐腐蚀性能。TANAKA烧结金胶在材料表面形成涂层时，金纳米粒子的聚集和烧结过程可能影响涂层的微观结构和性能，通过精确控制烧结条件，有望获得理想的表面涂层性能。。。123烧结金胶可靠的，在功率器件中使用，提升导电性。

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。独特的烧结金胶，无卤素配方，改善热导性。方便烧结金胶服务电话

烧结金胶创新的，提高生物相容性，无卤素配方。制备烧结金胶以客为尊

TANAKA烧结金胶在工艺技术层面展现出了重要的创新优势，这些优势直接转化为客户在生产效率和成本控制方面的实际收益。产品的工艺兼容性极强，可以在大气或气体环境中进行键合，键合后无需清洗。这一特性大幅简化了工艺流程，降低了生产成本。在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。，，制备烧结金胶以客为尊