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    这是除去固体颗粒、电子流、水、或者或多或少具有极性的油脂污染的要求。在精细清洗中，经常存在装有凹槽、肋条或盲孔的非常复杂的部件，必须用溶剂对其进行润湿，以使溶剂在这些难洗位置发挥作用。氟化溶剂来自提供表面的可能性的润湿的溶剂类型，其中，所述表面的可能性的润湿以非常低的表面张力表示(例如，相对于，HCFC141b为)。高润湿的另一优点是得到基底的较快干燥。在几乎相同的分子量下，氟化溶剂具有较低的沸点和较高的蒸气压。因此，HCFC141b在32°C下沸腾而氯仿在61°C下沸腾。这两种性质(低沸点和高蒸气压)有利于这些溶剂在利用蒸气相操作的常规工业机器中的应用，使得能够进行部件的漂洗和干燥，而且使得被连续蒸馏的溶剂能够再生。这些机器装有用于通过冷凝而使蒸气在盘管上冷却的大功率(heavy-duty)系统，这些机器的操作方法使得所用高蒸气压的缺点小化。工业家们期望可用于他们的现有机器存货的替代解决方案。此外，氢氟烃地用于制冷和传热过程。本发明提供具有低GWP且具有可生物降解的优点的组合物。根据本发明的组合物含甲基四氢呋喃和至少一种式C4F90R的九氟丁基烷基醚，其中R具有14个碳原子的线型或支化的饱和烷基链。有利地。上海如何发展BOE蚀刻液厂家现货BOE蚀刻液推荐苏州博洋化学股份有限公司。

    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。

    deacuerdoconlasindicacionesdelfabricantedelatuberíóásticorefozadonorequerirándeunrecubrimientoadicionaldebarreraanticorrosiva,pueslaestructurapropiadetalmaterialdeberácontener,talcomodefinelanormaUNE53-361,barrerainternayexternaanticorrosiva,íasserán:controldimensionalyvisual,óndelosensayosseajustarááuncertificadodefabricacióóónyalmacenamientodeberánseguirselasinstruccionesdemontajedelfabricantedelastuberííadeberátenerunapendientecontinuade,almenos,1por100demaneraquenopuedaformarseningunaretencióndelíásercuidadoso,recomendáácomprobarselacorrectaalineacióáónesadecuadadeberáhacerseunapruebadepresiónde4bardurantedoshorascomomíáantesdelrellenadodezanjas,parapermitirunacorrectacomprobacióíáíasyaccesoriosdepláíáempleartuberíasdeplásticoflexibleenterradas,alojadasentuberíasdecontenimientomecánicodemayordiáíasdeplásticoflexibleseconectaránpormedioderacoresestancos。苏州博洋化学股份专业生产BOE蚀刻液。

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    所述的磷酸浓度为82-87％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，醇醚类的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，表面活性剂的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，所述的醇醚类为选自二乙二醇单甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇单甲醚、三甘醇单丁醚等中的至少一种；表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、月桂酰氨乙基硫酸钠、醇醚羧酸盐等中的至少一种。进一步地，在使用本发明的蚀刻液进行氮化硅层蚀刻时，蚀刻温度为152-165℃，蚀刻时间为5-60min。通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，改善了磷酸的浸润性和表面张力，明显提高了蚀刻液对氮化硅层的润湿和蚀刻均匀性。为了便于验证氮化硅薄膜层的蚀刻均匀性，本发明使用淀积了氮化硅薄膜的晶圆样片(初始厚度约为)。蚀刻液配制完成后，先使用表面张力仪检测该蚀刻液的表面张力；然后将氮化硅晶圆片切割成1cm*3cm的小样片，采用超纯水清洗和氮气吹干后，使用接触角测量仪检测蚀刻液对氮化硅层的接触角大小。在蚀刻前，使用椭圆偏振光谱仪对氮化硅样片取不同位置共6个点进行厚度的测量。江苏专业BOE蚀刻液电话