铜酸蚀刻液是半导体和显示技术中一类重要的原材料。半导体、薄膜晶体管液晶显示器),有机发光半导体)等微电路原件首先由铜、钼或其合金在玻璃基板或者绝缘层上形成一定厚度的膜层,再用光刻胶形成图案,然后用铜酸蚀刻液将图案外的金属蚀刻掉,再用去光阻液将光刻胶去掉,以进行金属膜层的图案化,形成电极电路。随着显示器的大型化以及画质高清化,需要电阻率更低的金属来做电子传输导线,目前铜金属可以满足电导率高、价格相对较低等要求,但由于其与玻璃基板的粘附性较差以及铜元素易于向氧硅或者氮硅膜内进行扩散,所以会在其与玻璃之间加一层很薄的缓冲层,一般选用钼或者钼合金。BOE蚀刻液应用于什么样的场合?河南BOE蚀刻液图片
Buffered Oxide Etch,BOE就是buffer oxide etch, B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示49%HF水溶液:40%NH4F水溶液=1:6(体积比)的成分混合而成。刻蚀速度约10nm每秒。HF为主要的蚀刻液,NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H+〕的浓度,使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质,对皮肤有强烈的腐蚀性,不小心被溅到,应用大量水冲洗。
BOE(Buffered Oxide Etch),缓冲氧化物刻蚀液。由氢氟酸(49%)与水或氟化铵与水混合而成。 江西电子级BOE蚀刻液厂家现货哪家公司的BOE蚀刻液的是口碑推荐?
多级逆流萃取该厂用TY-1络合萃取剂,采用CWL450-M型离心萃取机对含酚废水进行处理。该工艺操作简单,开停车方便,设备维修方便,CWL450-M型离心萃取机理论处理量为15m3/h,混合效果较好,分离速度较快废水量为6m3/h。。操作温度为45℃,逆流萃取后萃取液中酚含量为80mg/L左右,处理后的萃取液满足生化处理的要求,直接进入生化段进行处理。采用18%的碱液(NaOH溶液)进行反萃,反萃后的有机相能够满足萃取的要求,直接进入萃取段继续脱酚,二碱液循环使用至游离碱含量低于5%左右送至酚钠回收工段。磷酸是一种重要的无机酸,中强酸,是化肥工业生产中重要的中间产品,主要用于化学肥料、工业磷酸盐、饲料级磷酸盐、磷酸盐、食品磷酸及电子级磷酸等的生产。
缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)是一种用于微细加工的液体腐蚀剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)的薄膜。它是氟化铵(NH4F)和氢氟酸(HF)等缓冲液的混合物。浓缩的HF蚀刻二氧化硅的速度太快,不能很好地进行工艺控制,同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。BOE6:1is6partsbyvolume40%ammoniumfluorideand1partbyvolume49%HF.应用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)6:1可用于栅极光刻(gatephotolithography)的AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管的氧化物去除。它可用于缓冲氧化物蚀刻剂法,制造微型生物芯片。苏州性价比高的BOE蚀刻液。
废蚀刻液经过废蚀刻液铜分离循环机构后再经组分调配可供蚀刻机循环使用;氨水洗废液经过氨水洗废液铜分离循环机构后可供蚀刻机循环使用;反萃剂经过电解提铜循环机构电解分离铜后可再进入反萃循环机构中循环使用,该实用新型在整个处理过程物料实现闭路循环,没有废水废物排出,能有效回收铜和再生蚀刻液和氨水洗液,减少蚀刻工序的污水排放量,降低环保压力,但是该实用新型工序较为复杂。 技术实现要素: 本发明为了解决现有技术的问题,提供了一种PCB酸性蚀刻液提取铜的方法及装置,采用循环再生技术,既有利于环保,又能够回收铜,实现能源的有效利用。使用BOE蚀刻液需要什么条件。山东介绍BOE蚀刻液生产
京东方用的哪家的BOE蚀刻液?河南BOE蚀刻液图片
据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻液,其特征在于,进一步含有α-羟基羧酸和/ 或α-羟基羧酸的盐。 根据权利要求4所述的蚀刻液,其特征在于,所述α-羟基羧酸为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。 根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻液,其特征在于,所述酸的浓度为20重量%至70重量%;所述有机硫化合物的浓度为0.01重量%至10重量%。 根据权利要求4至6中任一项所述的蚀刻液,其特征在于,所述α-羟基羧酸和/或α-羟基羧酸的盐的浓度为0.2重量%至5重量%。河南BOE蚀刻液图片