负的值表示厚度减小。上述蚀刻液组合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征,上述氧化物膜推荐包含sio2,上述氮化物膜推荐包含sin。上述蚀刻液组合物用于3dnand闪存制造工序,能够使上述氮化物膜去除工序中发生的副反应氧化物的残留和氧化物膜损伤不良问题**少化。本发明的蚀刻液组合物包含如上选择的添加剂,在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜时,能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良(参照图2)以及氮化物膜虽被完全去除但也造成氧化物膜损伤(damage)的工序不良(参照图3)的发生**少化。因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良在添加剂的防蚀能力强于适宜水平时发生,氧化物膜不良在添加剂的防蚀能力弱于适宜水平时发生。以下,对于本发明的蚀刻液组合物中所包含的磷酸、作为添加剂的硅烷(silane)系偶联剂以及进行更详细的说明。(a)磷酸本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作为主氧化剂可以在使氮化物膜氧化时使用。相对于组合物总重量,上述磷酸的含量为50~95重量%,推荐为80~90重量%。在上述磷酸的含量处于上述含量范围内的情况下。哪家蚀刻液质量比较好一点?天马用的蚀刻液蚀刻液什么价格

所述液位计7安装于所述分离器的外表面。液位计7安装在方便工作人员查看的位置,有利于提高工作人员工作的效率。在一个实施例中,如图1所示,所述液位开关9为控制阀,设置于所述滤液出口2处。控制阀为内螺纹截止阀,通过旋转操纵盘实现阀门的开关,这种阀结构简单,维修方便,工作行程小,启闭时间短,使用寿命长。在一个实施例中,如图2所示,所述分离器的侧壁上设有多个视镜10。分离器侧壁上设置的视镜10可以帮助工作人员辅助判断液位计7的工作状况。在一个实施例中,如图1所示,所述加热器11为盘管式加热器。盘管式加热器的受热更加均匀,加热效率更高。在一个实施例中,如图1所示,所述分离器底部为锥体形状。分离器底部设置成锥体形状更有利于滤液排出,不会残留在分离器内。以上所述是本实用新型的推荐实施方式,本实用新型的保护范围并不局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。安庆BOE蚀刻液蚀刻液推荐货源如何正确使用蚀刻液。

提高反应体系的稳定性。当体系中加入过氧化氢后有助于提高过氧化氢的稳定性,避免由于过氧化氢分解而引发的,提高生产的安全性。具体实施方式下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;纯水罐中设有通过电路控制的电磁阀,当纯水温度高于10℃时,电磁阀无法打开。第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用;将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用。亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸需要稀释后使用,hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2无需调配可直接用于制备蚀刻液。第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h。第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。
本发明涉及一种用来在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法。背景技术:以往,在蚀刻钛时一直使用含有氢氟酸或过氧化氢的蚀刻液。例如专利文献1中提出了一种钛的蚀刻液,该钛的蚀刻液是用来在铜或铝的存在下蚀刻钛,并且该蚀刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的过氧化氢、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所构成的水溶液将pH值调整为7至9。但是,含有氢氟酸的蚀刻液存在毒性高的问题,含有过氧化氢的蚀刻液存在缺乏保存稳定性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许第4471094号说明书。技术实现要素:发明所要解决的问题本发明是鉴于所述实际情况而成,其目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法,所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛,而且毒性低,保存稳定性优异。解决问题的技术手段本发明的蚀刻液是为了在铜的存在下选择性地蚀刻钛而使用,并且含有:选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸;以及选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的群组中的至少一种有机硫化合物。所述硫酮系化合物推荐为选自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。蚀刻液的发展趋势如何。

下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是实施例一中公开的储存罐与拖车的安装结构图;图2是实施例二中公开的储存罐与拖车的安装结构图;图3是实施例三中公开的储存罐与拖车的安装结构图;图4是实施例四中公开的储存罐与拖车的安装结构图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例一铝蚀刻液生产设备,包括混合罐、过滤器和数个小型的储存罐,混合罐通过液管与过滤器连接,过滤器的出液口处安装有气动升降式出液管,每个储存罐的进液口和出液口中安装有一只单向液动阀,过滤器的出液管自动下行插入储存罐的进液口中,将过滤后的铝蚀刻液注入储存罐内暂存。请参阅图1,储存罐10固定在一辆液压升降式拖车20的顶部,在过滤器的下方设置地磅30,载有空储存罐的拖车置于地磅上方,过滤器的出液管自动下行插入储存罐的进液口中,当地磅所测得的重量达到系统预设重量时,过滤器的出液管自动上行离开储存罐。将装满的储存罐从铝蚀刻液生产车间移动至自动灌装车间中,将灌装头的快速接头插入储存罐的出液口中便可将储存罐内的铝蚀刻液分装。拖车的底部具有滚轮21,即使滚轮带有刹车。哪家的蚀刻液性价比比较高?扬州铜钛蚀刻液蚀刻液销售电话
蚀刻液的配方是什么?天马用的蚀刻液蚀刻液什么价格
在上述硅烷系偶联剂的含量处于上述含量范围内的情况下,能够调节添加剂本身凝胶化,且获得合适的sio2防蚀和sin蚀刻性能。(c)水本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述水可以为用于半导体工序的去离子水,推荐使用18mω/㎝以上的上述去离子水。上述水的含量可以为使包含本发明的必须成分以及除此以外的其他成分的组合物总重量成为100重量%的余量。推荐可以按照本发明的组合物总重量的2~45重量%来包含。<选择添加剂的方法、由此选择的添加剂及利用其的蚀刻方法>此外,本发明提供选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*对上述氮化物膜选择性蚀刻的蚀刻液组合物的添加剂的方法、由此选择的添加剂以及利用该添加剂的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物中说明的、对于添加剂选择等的一切内容均可以同样地应用于本发明的选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜的蚀刻液组合物的添加剂的方法、由此选择的添加剂以及利用该添加剂的蚀刻方法。具体而言,提供选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜的蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法、由此选择的硅烷系偶联剂以及包含该硅烷系偶联剂的蚀刻方法。天马用的蚀刻液蚀刻液什么价格