在工业自动化领域，电机的稳定调速至关重要，而银耀芯城半导体（江苏）有限公司的可控硅在此发挥着**作用。该公司生产的可控硅可用于控制电动机的转速，实现高效调速功能。其工作原理基于对触发信号的精细控制，通过调整触发脉冲的相位，改变可控硅的导通角，进而控制电机输入电压的大小，实现电机转速的平稳调节。在工业生产线上，不同的生产环节对电机转速有不同... 【查看详情】

与人工智能硬件的协同工作人工智能硬件对电路的稳定性和高效性要求极高，银耀芯城半导体（江苏）有限公司二极管模块与人工智能硬件实现了良好的协同工作。在人工智能芯片的供电电路中，二极管模块起到了关键的电源管理作用。银耀芯城半导体（江苏）有限公司的肖特基二极管模块以其低正向压降的特性，有效降低了芯片供电过程中的能量损耗，提高了电源的利用效率，为人... 【查看详情】

在虚拟现实（VR）/ 增强现实（AR）设备中的微型化与精细保护虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备内部空间紧凑，集成了大量精密的电子元件，对电路保护元件的微型化和精细保护性能要求极高。亚利亚半导体（上海）有限公司为 VR/AR 设备研发的微型熔断器，在极小的尺寸下实现了***的保护功能。在 VR 头盔的显示驱动电路、传感器电路以及 AR... 【查看详情】

在 3D 打印设备中，银耀芯城半导体（江苏）有限公司的可控硅为设备的稳定运行与精细控制提供了坚实保障。3D 打印过程对温度和电机运动控制精度要求极高，稍有偏差便会影响打印质量。该公司的可控硅在加热模块中，能够精细调控加热元件的功率，使打印材料迅速且稳定地达到合适的熔融温度，保证材料挤出的流畅性。在打印平台的电机驱动系统里，可控硅精确控制电... 【查看详情】

银耀芯城半导体（江苏）有限公司的可控硅在智能交通的信号控制领域展现出独特价值。交通信号灯的稳定、精细切换对保障道路畅通至关重要。该公司的可控硅用于信号灯的电源控制和切换电路，能够快速响应交通流量监测系统的指令，精确控制信号灯的亮灭时间。在车流量变化频繁的十字路口，可控硅确保信号灯根据实时路况及时调整红绿灯时长，避免交通拥堵。同时，其高可靠... 【查看详情】

在商业展示的 LED 显示屏控制系统中，银耀芯城半导体（江苏）有限公司的可控硅让显示屏呈现出绚丽多彩、稳定清晰的画面。LED 显示屏需要精确控制每个像素点的亮度和颜色，以实现高质量的图像和视频播放效果。该公司的可控硅用于显示屏的驱动电路，能够快速、精细地调节通过 LED 灯珠的电流，使显示屏在高亮度、高对比度的同时，保持色彩的准确性和稳定... 【查看详情】

智能照明系统正朝着更加节能、智能调光的方向发展，银耀芯城半导体（江苏）有限公司的可控硅在其中发挥着关键作用。在城市道路照明中，通过智能控制系统与可控硅的结合，可根据不同时段的车流量、环境光线等因素，实时调节路灯亮度。深夜车流量减少时，可控硅降低路灯供电电流，实现节能；而在交通繁忙时段或恶劣天气下，自动提高亮度，保障交通安全。在智能家居照明... 【查看详情】

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。测量静态测量:把万用表放在乘100档,... 【查看详情】

此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止... 【查看详情】

银耀芯城半导体（江苏）有限公司的可控硅在工业冷水机的温度控制系统中发挥着重要作用。工业生产中的许多工艺过程需要精确控制温度，如化工、制药、电子制造等行业。工业冷水机通过循环冷却水带走设备产生的热量，实现温度调节。该公司的可控硅用于控制冷水机压缩机的启动、停止和转速，以及冷凝器风扇的运行。根据实际温度需求，可控硅精细调节设备功率，使冷水机能... 【查看详情】

鉴于熔断器***的短路保护性能，它广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过电流的保护器，是应用**普遍也**重要的保护器件之一。在应用中要重视熔断器的使用注意事项、日常巡视检查及维修保养。熔断器使用注意事项：1、熔断器的保护特性应与被保护对象的过载特性相适应，考虑到可能出现的短路电流，选用相应分断能力的熔断器；2、熔... 【查看详情】

当集电极相对于发射极处于正电位时，N 沟道 IGBT 导通，而栅极相对于发射极也处于足够的正电位 (>V GET )。这种情况导致在栅极正下方形成反型层，从而形成沟道，并且电流开始从集电极流向发射极。IGBT 中的集电极电流 Ic 由两个分量 Ie和 Ih 组成。Ie 是由于注入的电子通过注入层、漂移层和**终形成的沟道从集电极流向发射极... 【查看详情】