物理屏蔽与反符合协同降本底技术铅屏蔽层采用分层复合结构:外层为10cm厚再生铅(²¹⁰Pb<5Bq/kg),内层为4cm低本底铅(²¹⁰Pb<1Bq/kg),中间夹5cm聚乙烯慢化层,对环境γ射线(如¹³⁷Cs的662keV)屏蔽效率达99.99%。反符合系统由主探测器与**塑料闪烁体(BC-404,厚度5cm)组成,通过NIM标准...
查看详细 >>自适应多通道**气路系统每个抽屉单元配置**气路模块,采用微型质量流量计(MFC,精度±0.5ml/min)与压力传感器(±0.1kPa),实现P10气体(Ar/CH₄=9:1)的精细控制。气路采用316L不锈钢管路,内壁电解抛光处理(Ra≤0.8μm),避免颗粒物沉积导致的交叉污染。系统具备自检功能:当某路气体流量偏差超过10%时,...
查看详细 >>智能气路系统与气体保护机制气路模块采用双气瓶并联供气(40L钢瓶,压力15MPa),配备质量流量控制器(MFC)实现0.1ml/min精度调节,并通过PID算法动态平衡压力波动(±0.5kPa)。当检测到气体纯度下降(O₂>10ppm)时,系统自动切换备用气路并启动再生程序,确保全年气体消耗量不超过4瓶(常规设备需12瓶)。气体循环路...
查看详细 >>食品与土壤放射性污染评估针对海产品中²¹⁰Po的高灵敏度检测需求,仪器配备低温灰化附件(300℃氮气环境),可保留挥发性核素并去除有机质干扰。对牡蛎样本的实测数据显示,²¹⁰Po检测限低至0.005Bq/g(100g样品灰化后测量1小时)。在土壤检测中,系统采用“天然本底扣除模式”,通过²³⁸U系(4.2MeV α)与²³²Th系(3...
查看详细 >>智能化运维与行业场景深度适配国产α谱仪搭载自主开发的控制软件,实现全参数数字化管理:真空泵启停、偏压调节、数据采集等操作均通过界面集中操控,并支持²⁴¹Am参考源自动稳谱(峰位漂移补偿精度±0.05%)。其模块化结构大幅简化维护流程,污染部件可快速拆卸更换,维护成本较进口设备降低70%4。针对特殊行业需求,设备提供多场景解决方案:在核...
查看详细 >>可视化分析与开放化扩展平台软件搭载**谱图显示控件,采用GPU加速渲染技术,可在0.2秒内完成包含10⁶数据点的能谱绘制,支持三维能谱矩阵(能量-时间-计数率)的动态切换与叠加对比。在核素识别任务中,用户通过拖拽操作即可将待测样品的5.3MeV(²¹⁰Po)特征峰与数据库中的300+标准核素谱自动匹配,匹配结果通过色阶热力图直观呈现,误...
查看详细 >>自动化刻度流程与智能验证系统启动刻度任务后,软件自动执行六步闭环:①探测器高压预稳(1.2kV±0.01%,PID控制);②标准源定位(机械臂重复精度±0.1mm);③能谱采集(≥10⁴计数,统计涨落<1%);④曲线拟合(Levenberg-Marquardt算法,迭代收敛阈值1e⁻⁶);⑤交叉验证(与NIST参考谱库卡方检验,P>0....
查看详细 >>环境适应性及扩展功能系统兼容-10℃~40℃工作环境,湿度适应性≤85%RH(无冷凝),满足野外核应急监测需求。通过扩展接口可联用气溶胶采样器(如ZRX-30534型,流量范围10-200L/min),实现从采样到分析的全程自动化。软件支持多任务队列管理,单批次可处理24个样品,配合机器人样品台将吞吐量提升至48样本/天。 ...
查看详细 >>智能分析功能与算法优化软件核心算法库包含自动寻峰(基于二阶导数法或高斯拟合)、核素识别(匹配≥300种α核素数据库)及能量/效率刻度模块。能量刻度采用多项式拟合技术,通过241Am(5.49MeV)、244Cm(5.80MeV)等多点校准实现非线性误差≤0.05%,确保Th-230(4.69MeV)与U-234(4.77MeV)等相邻...
查看详细 >>RLA 200系列α谱仪采用模块化设计,**硬件由真空测量腔室、PIPS探测单元、数字信号处理单元及控制单元构成。其真空腔室通过0-26.7kPa可调真空度设计,有效减少空气对α粒子的散射干扰,配合PIPS探测器(有效面积可选300-1200mm²)实现高灵敏度测量。数字化多道系统支持256-8192道可选,通过自动稳谱和死时间校正功能...
查看详细 >>智能分析功能与算法优化软件核心算法库包含自动寻峰(基于二阶导数法或高斯拟合)、核素识别(匹配≥300种α核素数据库)及能量/效率刻度模块。能量刻度采用多项式拟合技术,通过241Am(5.49MeV)、244Cm(5.80MeV)等多点校准实现非线性误差≤0.05%,确保Th-230(4.69MeV)与U-234(4.77MeV)等相邻...
查看详细 >>PIPS探测器与Si半导体探测器的**差异分析二、能量分辨率与噪声控制PIPS探测器对5MeVα粒子的能量分辨率可达0.25%(FWHM,对应12.5keV),较传统Si探测器(典型值0.4%~0.6%)提升40%以上。这一优势源于离子注入形成的均匀耗尽层(厚度300±30μm)与低漏电流设计(反向偏压下漏电流≤1nA),结合S...
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