北京制造氧化石墨

氧化石墨烯（GO）的光学性质与石墨烯有着很大差别。石墨烯是零带隙半导体，在可见光范围内的光吸收系数近乎常数（～2.3%）；相比之下，氧化石墨烯的光吸收系数要小一个数量级（～0.3%）[9][10]。而且，氧化石墨烯的光吸收系数是波长的函数，其吸收曲线峰值在可见光与紫外光交界附近，随着波长向近红外一端移动，吸收系数逐渐下降。对紫外光的吸收（200-320nm）会表现出明显的π-π*和n-π*跃迁，而且其强度会随着含氧基团的出现而增加[11]。氧化石墨烯（GO）的光响应对其含氧基团的数量十分敏感[12]。随着含氧基团的去除，氧化石墨烯（GO）在可见光波段的的光吸收率迅速上升，**终达到2.3%这一石墨烯吸收率的上限。氧化石墨烯（GO）的厚度只有几纳米，具有两亲性。北京制造氧化石墨

太赫兹技术可用于医学诊断与成像、反恐安全检查、通信雷达、射电天文等领域，将对技术创新、国民经济发展以及**等领域产生深远的影响。作为极具发展潜力的新技术，2004年，美国**将THz科技评为“改变未来世界的**技术”之一，而日本于2005年1月8日更是将THz技术列为“国家支柱**重点战略目标”**，举全国之力进行研发。传统的宽带THz波可以通过光整流、光电导天线、激光气体等离子体等方法产生，窄带THz波可以通过太赫兹激光器、光学混频、加速电子、光参量转换等方法产生。北京制造氧化石墨扫描隧道显微镜照片表明，在氧化石墨中氧原子排列为矩形。

尽管氧化石墨烯自身可以发射荧光，但有趣的是它也可以淬灭荧光。这两种看似相互矛盾的性质集于一身，正是由于氧化石墨烯化学成分的多样性、原子和电子层面的复杂结构造成的。众所周知，石墨形态的碳材料可以淬灭处于其表面的染料分子的荧光，同样的，在GO和RGO中存在的SP2区域可以淬灭临近一些物质的的荧光，如染料分子、共轭聚合物、量子点等，而GO的荧光淬灭效率在还原后还有进一步的提升。有很多文章定量分析了GO和RGO的荧光淬灭效率，研究表明，荧光淬灭特性来自于GO、RGO与辐射发生体之间的荧光共振能量转移或者非辐射偶极-偶极耦合。

所采用的石墨原料片径大小、纯度高低等以及合成GO的方法不同，因此导致所合成出来的GO片的大小、片层厚度、氧化程度（含氧量）、表面电荷和表面所带官能团等不同。GO的生物毒性除了有浓度依赖性，还会因GO原料的不同而呈现出毒性数据的多样性，甚至结论相互矛盾[2-9]。此外，GO可能与毒性测试中的试剂相互作用，从而影响细胞活性试验数据的有效性，使其产生假阳性结果。如：Macosko与其合作者[10]的研究发现，在细胞活性试验中利用四甲基偶氮唑盐（MTT）试剂与GO作用，GO的存在可以减少蓝色产物的形成。因为在活细胞中，当MTT减少时就说明有同一种颜色产物的生成。因此，基于MTT法试验未能体现出GO的细胞毒性。但是他们利用另一种水溶性的四唑基试剂——WST-8（台酚蓝除外），就能对活细胞和死细胞的数量进行精确的评估。调控反应过程中氧化条件，减少面内大面积反应，减少缺陷，提升还原效率。

GO膜在水处理中的分离机理尚存在诸多争议。一种观点认为通过尺寸筛分以及带电的目标分离物与纳米孔之间的静电排斥机理实现分离，如图8.3所示。氧化石墨烯膜的分离通道主要由两部分构成：1）氧化石墨烯分离膜中不规则褶皱结构形成的半圆柱孔道；2）氧化石墨烯分离膜片层之间的空隙。除此之外，由氧化石墨烯结构缺陷引起的纳米孔道对于水分子的传输提供了额外的通道19-22。Mi等23研究认为干态下通过真空过滤制备的氧化石墨烯片层间隙的距离约为0.3nm。氧化石墨烯（GO）是印刷电子、催化、储能、分离膜、生物医学和复合材料的理想材料。合成氧化石墨制造

氧化石墨的亲水性好，易于分散到水泥基复合材料中。北京制造氧化石墨

（1）将GO作为荧光共振能量转移的受体，构建荧光共振能量转移型氧化石墨烯生物传感器，用于检测各种生物分子。（2）可以将一些抗体键合在GO表面，构建成抗体型氧化石墨烯传感器，通常是将GO作为荧光共振能量转移或化学发光共振能量转移的受体，以此来检测抗原物质；或者利用GO比表面积较大能结合更多抗体的特点，将检测信号进行进一步放大。（3）构建多肽型氧化石墨烯传感器。因为GO是一种边缘含有亲水基团（-COOH，-OH及其他含氧基团）而基底具有高疏水性的两性物质，当多肽与GO孵育时，多肽的芳环和其他疏水性残基与GO的疏水性基底堆积，同时二者部分残基之间也会存在静电作用，这样多肽组装在GO上形成了多肽型氧化石墨烯传感器。当多肽被荧光基团标记时，二者之间发生荧光共振能量转移后，GO使荧光发生猝灭。北京制造氧化石墨