中清航科部署封装数字孪生系统，通过AI视觉检测实现微米级缺陷捕捉。在BGA植球工艺中，球径一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校准系统使设备换线时间缩短至15分钟，产能利用率提升至90%。针对HBM内存堆叠需求，中清航科开发超薄芯片处理工艺。通过临时键合/解键合技术实现50μm超薄DRAM晶圆加工，4层堆叠厚度400μm。其TSV深宽比达10:1，阻抗控制在30mΩ以下，满足GDDR6X1TB/s带宽要求。中清航科可拉伸封装技术攻克可穿戴设备难题。采用蛇形铜导线与弹性体基底结合，使LED阵列在100%拉伸形变下保持导电功能。医疗级生物相容材料通过ISO10993认证，已用于动态心电图贴片量产。功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。浙江半导体激光芯片封装
中清航科WLCSP测试一体化方案缩短生产周期。集成探针卡与临时键合层，实现300mm晶圆单次测试成本降低40%。在PMIC量产中，测试覆盖率达99.2%。面向航天应用，中清航科抗辐照封装通过MIL-STD-750认证。掺铪二氧化硅钝化层使总剂量耐受＞300krad，单粒子翻转率＜1E-10error/bit-day。已服务低轨卫星星座项目。中清航科MEMS真空封装良率突破98%。采用多孔硅密封技术，腔体真空度维持＜0.1Pa十年以上。陀螺仪零偏稳定性达0.5°/h，满足导航级应用。陶瓷sop封装中清航科聚焦芯片封装创新，用模块化设计满足多样化应用需求。
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。芯片封装可靠性需长期验证，中清航科加速老化测试，提前暴露潜在问题。
常见芯片封装类型-PQFP：PQFP是塑料方形扁平封装，常用于大规模或超大型集成电路，引脚数一般在100个以上。该封装形式引脚间距小、管脚细，需采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接。这种方式使得芯片在主板上无需打孔，通过主板表面设计好的焊点即可完成焊接，且拆卸需用工具。PQFP适用于高频使用，操作方便、可靠性高，芯片面积与封装面积比值小。中清航科的PQFP封装技术在行业内颇具优势，能满足客户对芯片高频性能及小型化的需求，广泛应用于通信、消费电子等领域。中清航科芯片封装技术，支持系统级封装，实现芯片与被动元件一体化。芯片封装厂
中清航科芯片封装方案，适配航天级标准，耐受极端温差与气压考验。浙江半导体激光芯片封装
针对5nm芯片200W+热功耗挑战，中清航科开发嵌入式微流道冷却封装。在2.5D封装中介层内蚀刻50μm微通道，采用两相冷却液实现芯片级液冷。实测显示热点温度降低48℃，同时节省80%外部散热空间，为AI服务器提供颠覆性散热方案。基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术，中清航科推出毫米波天线集成封装。将24GHz雷达天线阵列直接封装于芯片表面，信号传输距离缩短至0.2mm，插损低于0.5dB。该方案使77GHz车规雷达模块尺寸缩小60%，量产良率突破95%行业瓶颈。浙江半导体激光芯片封装
