中清航科深紫外LED封装攻克出光效率瓶颈。采用氮化铝陶瓷基板搭配高反射镜面腔体，使280nmUVC光电转换效率达12%。在杀菌模组应用中，光功率密度提升至80mW/cm²，寿命突破10,000小时。基于MEMS压电薄膜异质集成技术，中清航科实现声学传感器免ASIC封装。直接输出数字信号的压电微桥结构，使麦克风信噪比达74dB。尺寸缩小至1.2×0.8mm²，助力TWS耳机减重30%。中清航科太赫兹频段封装突破300GHz屏障。采用石英波导过渡结构，在0.34THz频点插损＜3dB。其天线封装（AiP）方案使安检成像分辨率达2mm，已用于人体安检仪量产。芯片封装成本压力大，中清航科材料替代方案，在降本同时保性能。qfn12封装
先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。浙江陶瓷封装基座穿戴设备芯片需轻薄，中清航科柔性封装，适配人体运动场景需求。
针对车规级芯片AEC-Q100认证痛点，中清航科建成零缺陷封装产线。通过铜柱凸点替代锡球焊接，结合环氧模塑料（EMC）三重防护层，使QFN封装产品在-40℃~150℃温度循环中通过3000次测试。目前已有17家Tier1供应商采用其AEC-QGrade1封装解决方案。中清航科多芯片重构晶圆（ReconstitutedWafer）技术，将不同尺寸芯片集成于300mm载板。通过动态贴装算法优化芯片排布，材料利用率提升至92%，较传统WLCSP降低成本28%。该方案已应用于物联网传感器批量生产，单月产能达500万颗。
在光学性能优化方面，LED封装厂家通过创新荧光粉涂覆工艺，实现更均匀的光色分布。采用纳米级荧光粉喷涂技术，结合准确的点胶控制，可减少光斑色差，使COB光源的显色指数达到95以上，满足照明与显示场景需求。例如，在商业照明领域，COB光源以其无暗区、光线柔和的特性，广泛应用于商场、展览馆等场所，提升照明品质。在应用实践中，COB技术在显示屏领域优势明显。LED封装厂家通过缩小芯片间距，实现更高的像素密度，助力小间距LED显示屏的发展。从散热到光学，从材料到工艺，LED封装厂家在COB技术上的持续突破，不仅推动了LED产品性能升级，更为照明与显示行业带来了新的发展机遇。边缘计算芯片求小求省，中清航科微型封装，适配终端设备空间限制。
面对量子比特超导封装难题，中清航科开发蓝宝石基板微波谐振腔技术。通过超导铝薄膜微加工，实现5GHz谐振频率下Q值＞100万，比特相干时间提升至200μs。该方案已用于12量子比特模块封装，退相干率降低40%，为量子计算机提供稳定基础。针对AI边缘计算需求，中清航科推出近存计算3D封装。将RRAM存算芯片与逻辑单元垂直集成，互连延迟降至0.1ps/mm。实测显示ResNet18推理能效达35TOPS/W，较传统方案提升8倍，满足端侧设备10mW功耗要求。中清航科芯片封装技术，平衡电气性能与机械保护，延长芯片使用寿命。qfn12封装
芯片封装测试环节关键，中清航科全项检测，确保出厂芯片零缺陷。qfn12封装
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。qfn12封装
