面向CPO共封装光学，中清航科开发硅光芯片耦合平台。通过亚微米级主动对准系统，光纤-光栅耦合效率＞85%，误码率＜1E-12。单引擎集成8通道112GPAM4，功耗降低45%。中清航科微流控生物芯片封装通过ISO13485认证。采用PDMS-玻璃键合技术，实现5μm微通道密封。在PCR检测芯片中，温控精度±0.1℃，扩增效率提升20%。针对GaN器件高频特性，中清航科开发低寄生参数QFN封装。通过金线键合优化将电感降至0.2nH，支持120V/100A器件在6GHz频段工作。电源模块开关损耗减少30%。中清航科芯片封装技术，支持三维堆叠，突破平面集成的性能天花板。上海芯片封装代工厂
针对MicroLED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。浙江cob半导体封装先进封装需多学科协同，中清航科跨领域团队，攻克材料与结构难题。
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。
芯片封装的发展历程：自20世纪80年代起，芯片封装技术历经多代变革。从早期的引脚插入式封装，如DIP（双列直插式封装），发展到表面贴片封装，像QFP（塑料方形扁平封装）、PGA（针栅阵列封装）等。而后，BGA（球栅阵列封装）、MCP（多芯片模块）、SIP（系统级封装）等先进封装形式不断涌现。中清航科紧跟芯片封装技术发展潮流，不断升级自身技术工艺，在各个发展阶段都积累了丰富经验，能为客户提供符合不同时期技术标准和市场需求的封装服务。芯片封装可靠性需长期验证，中清航科加速老化测试，提前暴露潜在问题。
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。中清航科芯片封装方案，适配物联网设备，兼顾低功耗与小型化。江苏陶瓷封装的厂商
功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。上海芯片封装代工厂
中清航科超细间距倒装焊工艺突破10μm极限。采用激光辅助自对准技术，使30μm微凸点对位精度达±1μm。在CIS图像传感器封装中，该技术消除微透镜偏移问题，提升低光照下15%成像质量。中清航科开发出超薄中心less基板，厚度100μm。通过半加成法（mSAP）实现2μm线宽/间距，传输损耗低于0.3dB/mm@56GHz。其5G毫米波AiP天线封装方案已通过CTIAOTA认证，辐射效率达72%。为响应欧盟RoHS2.0标准，中清航科推出无铅高可靠性封装方案。采用Sn-Bi-Ag合金凸点，熔点138℃且抗跌落性能提升3倍。其绿色电镀工艺使废水重金属含量降低99%，获三星Eco-Partner认证。上海芯片封装代工厂
