磷化铟（InP）光子晶圆易产生边缘散射损耗。中清航科采用等离子体刻蚀辅助裂片技术，切割面垂直度达89.5°±0.2°，侧壁粗糙度Ra<20nm，插入损耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系统通过5G实时回传设备运行数据（振动/电流/温度），AI引擎15分钟内定位故障根因。远程AR指导维修，MTTR（平均修复时间）缩短至45分钟，服务覆盖全球36国。基于微区X射线衍射技术，中清航科绘制切割道残余应力三维分布图（分辨率10μm），提供量化改进方案。客户芯片热循环寿命提升至5000次（+300%），满足车规级AEC-Q104认证。5G射频芯片切割中清航科特殊工艺，金线偏移量＜0.8μm。浙江碳化硅晶圆切割刀片
在晶圆切割的批量一致性控制方面，中清航科采用统计过程控制（SPC）技术。设备实时采集每片晶圆的切割尺寸数据，通过 SPC 软件进行分析，绘制控制图，及时发现过程中的异常波动，并自动调整相关参数，使切割尺寸的标准差控制在 1μm 以内，确保批量产品的一致性。针对薄晶圆切割后的搬运难题，中清航科开发了无损搬运系统。采用特制的真空吸盘与轻柔的取放机构，配合视觉引导，实现薄晶圆的平稳搬运，避免搬运过程中的弯曲与破损。该系统可集成到切割设备中，也可作为单独模块与其他设备对接，提高薄晶圆的处理能力。苏州芯片晶圆切割代工厂切割粉尘回收模块中清航科集成，重金属污染减排90%以上。
在晶圆切割的边缘检测精度提升上，中清航科创新采用双摄像头立体视觉技术。通过两个高分辨率工业相机从不同角度采集晶圆边缘图像，经三维重建算法精确计算边缘位置，即使晶圆存在微小翘曲，也能确保切割路径的精确定位，边缘检测误差控制在 1μm 以内，大幅提升切割良率。为适应半导体工厂的能源管理需求，中清航科的切割设备配备能源监控与分析系统。实时监测设备的电压、电流、功率等能源参数，生成能耗分析报表，识别能源浪费点并提供优化建议。同时支持峰谷用电策略，可根据工厂电价时段自动调整运行计划，降低能源支出。
中清航科的晶圆切割设备通过了多项国际认证，包括 CE、FCC、UL 等，符合全球主要半导体市场的准入标准。设备设计严格遵循国际安全规范与电磁兼容性要求，可直接出口至欧美、日韩等地区，为客户拓展国际市场提供设备保障。在晶圆切割的刀具校准方面，中清航科创新采用激光对刀技术。通过高精度激光束扫描刀具轮廓，自动测量刀具直径、刃口角度等参数，并与标准值对比，自动计算补偿值，整个校准过程只需 3 分钟，较传统机械对刀方式提升效率 80%，且校准精度更高。复合材料晶圆切割选中清航科多工艺集成设备，兼容激光与刀片。
面对全球半导体设备供应链的不确定性，中清航科构建了多元化的供应链体系。与国内 200 余家质优供应商建立长期合作关系，关键部件实现多源供应，同时在各地建立备件中心，储备充足的易损件与中心部件，确保设备维修与升级时的备件及时供应，缩短设备停机时间。晶圆切割设备的能耗成本在长期运行中占比较大，中清航科通过能效优化设计，使设备的单位能耗降低至 0.5kWh / 片（12 英寸晶圆），较行业平均水平降低 35%。采用智能休眠技术，设备闲置时自动进入低功耗模式，进一步节约能源消耗，为客户降低长期运营成本。切割冷却液在线净化装置中清航科研发，杂质浓度自动控制＜1ppm。盐城碳化硅线晶圆切割划片
8小时连续切割验证：中清航科设备温度波动≤±0.5℃。浙江碳化硅晶圆切割刀片
随着芯片轻薄化趋势，中清航科DBG（先切割后研磨）与SDBG（半切割后研磨）设备采用渐进式压力控制技术，切割阶段只切入晶圆1/3厚度，经背面研磨后自动分离。该方案将100μm以下晶圆碎片率降至0.01%，已应用于5G射频模块量产线。冷却液纯度直接影响切割良率。中清航科纳米级过滤系统可去除99.99%的0.1μm颗粒，配合自主研发的抗静电添加剂，减少硅屑附着造成的短路风险。智能温控模块维持液体粘度稳定，延长刀片寿命200小时以上呢。浙江碳化硅晶圆切割刀片
中清航科（江苏）科技有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在江苏省等地区的数码、电脑中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同中清航科科技供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！
